Journées thématiques du Réseau Semi-conducteurs IN2P3-IRFU. Méthodes de test orientées simulation

Name: Journées thématiques du Réseau Semi-conducteurs IN2P3-IRFU. Méthodes de test orientées simulation
Start: 2021-06-10T13:00:00+02:00
End: 2021-06-11T12:05:00+02:00
Location: IP2I Lyon

10–11 juin 2021

IP2I Lyon

Fuseau horaire Europe/Paris

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Renseignements pratiques

Mokrane Dahoumane, Ana Torrento

m.dahoumane@ipnl.in2p3.fr
ana.torrento@ijclab.in2p3.fr

Characterization of radiation induced defects in silicon devices

10 juin 2021, 13:30

25m

Amphithéâtre du bâtiment Paul Dirac (IP2I Lyon)

Amphithéâtre du bâtiment Paul Dirac

IP2I Lyon

Domaine scientifique de la Doua Bâtiment Paul Dirac 4, Rue Enrico Fermi 69622 Villeurbanne Cedex

Michael Moll (CERN) (CERN)

Lyon IP2I - Defect-Characterization-M-MOLL-10-06-2021.pdf

Journées thématiques du Réseau Semi-conducteurs IN2P3-IRFU. Méthodes de test orientées simulation

Mokrane Dahoumane, Ana Torrento

Characterization of radiation induced defects in silicon devices

Amphithéâtre du bâtiment Paul Dirac

IP2I Lyon

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