Journée Thématique du réseau R&D semi-conducteurs - Effets des irradiations dans les détecteurs semi-conducteurs

Name: Journée Thématique du réseau R&D semi-conducteurs - Effets des irradiations dans les détecteurs semi-conducteurs
Start: 2016-06-16T10:00:00+02:00
End: 2016-06-16T16:30:00+02:00
Location: LPNHE

16 juin 2016

LPNHE

Fuseau horaire Europe/Paris

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Radiations sur détecteurs CMOS

16 juin 2016, 10:00

30m

Amphi G.Charpack (LPNHE)

Amphi G.Charpack

LPNHE

Patio 22‐33 ‐ Rez‐de‐chaussée (RC) ‐ Niveau Saint Bernard (SB) ‐ Porte 02 4 place Jussieu ‐ 75005 Paris

M. Alejandro Perez (LPNHE)

Transparents

Perez_CMOSRadHardness_JourneesFEE-Si_16Jun2016.pdf

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Radiations sur détecteurs CMOS

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