Journée Thématique du réseau R&D semi-conducteurs - Effets des irradiations dans les détecteurs semi-conducteurs

Name: Journée Thématique du réseau R&D semi-conducteurs - Effets des irradiations dans les détecteurs semi-conducteurs
Start: 2016-06-16T10:00:00+02:00
End: 2016-06-16T16:30:00+02:00
Location: LPNHE

16 juin 2016

LPNHE

Fuseau horaire Europe/Paris

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Simulation and characterization of HV/HR-CMOS sensors for radiation hardness

16 juin 2016, 13:30

30m

Amphi G.Charpack (LPNHE)

Amphi G.Charpack

LPNHE

Patio 22‐33 ‐ Rez‐de‐chaussée (RC) ‐ Niveau Saint Bernard (SB) ‐ Porte 02 4 place Jussieu ‐ 75005 Paris

Dr Mathieu Benoit (CERN)

Transparents

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Journée Thématique du réseau R&D semi-conducteurs - Effets des irradiations dans les détecteurs semi-conducteurs

Simulation and characterization of HV/HR-CMOS sensors for radiation hardness

Amphi G.Charpack

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